電源適配器在開發(fā)IGBT的技術

電源適配器在開發(fā)IGBT的技術中,隨看產(chǎn)品的更新?lián)Q代,制造技術不斷提高,精細加工也成為可能現(xiàn)在,功率器件主要采用lμm以下的加工尺寸。

幾代變遷與特性改進（標準特性）

  ①IGBT從第一代到第四代的進化,估計Uce(sat)可降低50%,tf可提高50%~60%,表22列出了每一代電源適配器Uce(sat)及tf的標準特性。

  ②采用溝槽式柵極結構,縮小芯片尺寸。從第三代向第四代發(fā)展的過程中,IGBT通過從芯片表面向芯片內(nèi)部溝槽式形成柵極,使精細加工成為可能,因為柵極的制作是從芯片表面向芯片內(nèi)部挖一條溝,故將此結構稱為槽結構,由于腰極溝槽化,使單胞單元尺寸縮小到原來的1/5,降低了MOSFET的溝道電阻,提高了單位芯片面積的電流密度,能制造同樣額定電流而芯片尺寸較小的電源適配器。

  ③采用新材料,改進產(chǎn)品特性。下一代的發(fā)展趨勢之一是采用替代Si的新型材料來改進電源適配器特性;第二是通過壽命時間控制法,局部制作窗口,減少Uce(sat)的依賴特性,不提高Uce(sat)就能使開關特性達到高速化;第三是借助精細加工降低MOs部分的溝通電阻?利用這些方式,就能使開關特性與MOSFET相同,從而使其Uce(sat)與晶閘管相同的狀況成為現(xiàn)實。