同步整流技術(shù)

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同步整流技術(shù)

同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)。同步整流技術(shù)能大大提高DC/DC電源適配器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向?qū)щ娞匦裕梢岳斫鉃橐环N被動式器件：只要有足夠的正向電壓它就導(dǎo)通，而不需要另外的控制電路。但其導(dǎo)通壓降較高，快恢復(fù)二極管（FRD）或超快恢復(fù)二極管（SRD）可達(dá)1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會產(chǎn)生大約0.6V的壓降。這個壓降完全是做的無用功，并且整流二極管是一種固定壓降的器件，舉個例子：如有一個管子壓降為0.7V，其整流為12V時它的前端要等效12.7V電壓，損耗占0.7/12.7≈5.5%。而當(dāng)其為3.3V整流時，損耗為0.7/（3.3＋0.7）≈17.5%。可見此類器件在低壓大電流的工作環(huán)境下其損耗是何等地驚人。這就導(dǎo)致電源效率降低，損耗產(chǎn)生的熱能導(dǎo)致整流管溫度的上升，進(jìn)而導(dǎo)致電源適配器的溫度上升、機箱溫度上升，有時系統(tǒng)運行不穩(wěn)定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個高溫所賜。
同步整流技術(shù)采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來取代整流二極管，能大大降低整流電路的損耗，提高DC/DC變頻器的效率，滿足低壓、大電流整流器的需要。DC/DC電源適配器的損耗主要由三部分組成：功率開關(guān)管的損耗，高頻變壓器的損耗，輸出整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下，整流二極管的導(dǎo)通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出。快恢復(fù)二極管或超快恢復(fù)二極管可達(dá)1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管，也會產(chǎn)生0.4V～0.8V的壓降，導(dǎo)致整流損耗增大，電源效率降低。因此，傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實現(xiàn)低電壓、大電流電源適配器高效率、小體積的需要，成為制約DC/DC變頻器提高效率的瓶頸。
作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件，功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導(dǎo)通時的伏安特性呈線性關(guān)系。因為用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動式器件，必須要在其控制極（柵極）有一定電壓才能允許電流通過，這種復(fù)雜的控制要求得到的回報就是極小的電流損耗。根據(jù)同步整流管控制方式的不同，可將同步整流器分為兩類：外部驅(qū)動式同步整流器和自驅(qū)動式同步整流器。
外部驅(qū)動式同步整流器的門極驅(qū)動電壓需要從附加的外設(shè)驅(qū)動電路獲得。為了實現(xiàn)同步，驅(qū)動電路必須由電源適配器主開關(guān)管的驅(qū)動信號來加以控制，外驅(qū)動電路可以提供較精確的控制時序。現(xiàn)在已開發(fā)出一些外部驅(qū)動控制集成電路，如IR1175、MW系列IC等。外部驅(qū)動同步整流的缺點是：驅(qū)動電路復(fù)雜，需要有控制檢測、定時邏輯、同步變壓器等。驅(qū)動電路有損耗，價格貴，開發(fā)周期長等，限制了外部驅(qū)動同步整流技術(shù)的廣泛應(yīng)用。
自驅(qū)動式同步整流器又分為電壓驅(qū)動型（voltagedriven）同步整流器和電流驅(qū)動型同步整流器。
電流驅(qū)動同步整流器通過檢測流過同步整流管的電流，確定是否開通還是關(guān)斷同步整流管，因此，它需要電流檢測器件，比如電流互感器，或者采用自帶電流檢測的功率MOSFET及其輔助控制和驅(qū)動電路。電流同步整流器的主要優(yōu)點是拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)獨立，可以直接替代任何電源適配器適配器中的二極管，具有極強的通用性。
電壓驅(qū)動同步整流器的驅(qū)動電壓信號來自變壓器輔助繞組或者電感耦合繞組，同步整流管根據(jù)變壓器輔助繞組或者電感耦合繞組電壓極性自動開通或關(guān)斷，結(jié)構(gòu)簡單、經(jīng)濟(jì)高效，成為目前受到廣泛關(guān)注的同步整流器驅(qū)動技術(shù)。
整流管VT3和續(xù)流管VT2的驅(qū)動電壓從變壓器的副邊繞組取出，加在MOS管的柵G和漏D之間，如果在獨立的電路中MOS管這樣應(yīng)用不能完全開通，損耗很大，但用在同步整流時是可行的簡化方案。由于這兩個管子開關(guān)狀態(tài)互瑣，一個管子開，另一個管子關(guān)，所以我們只簡要分析電感電流連續(xù)時的開通情況，我們知道MOS管具有體內(nèi)寄生的反并聯(lián)二極管，這樣電感電流連續(xù)應(yīng)用時，MOS管在真正開通之前并聯(lián)的二極管已經(jīng)開通，把源S和漏D相對柵的電平保持一致，加在GD之間的電壓等同于加在GS之間的電壓，這樣變壓器副邊繞組同銘端為正時，整流管VT3的柵漏電壓為正，整流管零壓開通，當(dāng)變壓器副邊繞組為負(fù)時，續(xù)流管VT2開通，濾波電感續(xù)流。柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。

電壓自驅(qū)動同步整流
1.工作原理
圖是采用電壓驅(qū)動同步整流雙管正激電源適配器的原理圖，工作原理如下：當(dāng)主開關(guān)管Q1和Q4都開通時，變壓器副邊電壓為正，同步整流管S1的門極承受正電壓導(dǎo)通；S2的門極承受負(fù)電壓關(guān)斷。此時，負(fù)載電流流經(jīng)同步整流管S1。當(dāng)主開關(guān)管Q1和Q4都關(guān)斷時，變壓器副邊電壓為負(fù)，同步整流管S2的門極承受正電壓導(dǎo)通；S1的門極承受負(fù)電壓關(guān)斷。此時，負(fù)載電流流經(jīng)同步整流管S2。

圖電壓驅(qū)動同步整流雙管正激電源適配器原理圖
從對傳統(tǒng)雙管正激變壓器基本原理的分析中，我們可以知道，在主開關(guān)管Q1和Q4都關(guān)斷時，變壓器開始磁復(fù)位。在下一個開關(guān)周期開始時，磁復(fù)位必須結(jié)束，否則變壓器發(fā)生磁偏滯而逐漸飽和，不能繼續(xù)傳遞能量。假設(shè)在下一個開關(guān)周期導(dǎo)通之前的某一時刻，變壓器磁復(fù)位結(jié)束，變壓器副邊電壓為0。變壓器副邊電壓為0至下一個開關(guān)周期開始的這段時間稱為死區(qū)時間。在死區(qū)時間內(nèi)S1和S2的門極電壓為0，因此都不能導(dǎo)通。這時候，負(fù)載電流流經(jīng)續(xù)流同步整流管S2的體二極管，而不是功率MOSFET。
為了優(yōu)化驅(qū)動波形，可以采用分離的輔助繞組來分別驅(qū)動兩個同步整流管，比起傳統(tǒng)的副邊繞組直接驅(qū)動的同步整流電源適配器來說，這種驅(qū)動方式無工作電流通過驅(qū)動繞組，因此不需要建立輸出電流的時間，MOSFET能夠迅速開通，開通時的死區(qū)時間即體二極管導(dǎo)通的時間減少了一半，另一方面驅(qū)動電壓不只局限于副邊電壓，可以通過調(diào)整輔助線圈來得到合適的驅(qū)動電壓。
在一般情況下，轉(zhuǎn)換器輕載時將在不連續(xù)電流模式（dcm）下工作。但電壓型自驅(qū)動的同步整流理論上是一個雙向開關(guān)，輕載時負(fù)載電流可能繼續(xù)反向流過輸出電感，形成環(huán)路電流，產(chǎn)生附加損耗，使轉(zhuǎn)換器效率下降。

2.電感電流斷流模式（DCM）下的環(huán)路電流損耗問題
連續(xù)CCM與斷續(xù)DCM通常指工作電流.連續(xù)CCM:當(dāng)輸出電流未降到0時.藕合電感又將能量傳輸?shù)捷敵?斷續(xù)DCM當(dāng)輸出電流降到0時.藕合電感才將能量傳輸?shù)捷敵?
一般小功率產(chǎn)品較好工作在DCM下好些,反之則CCM.與電感頻率有關(guān) .
根據(jù)對傳統(tǒng)雙管正激電源適配器的穩(wěn)態(tài)分析可知，電源適配器在穩(wěn)定運行時存在兩種可能的運行狀態(tài)：連續(xù)傳導(dǎo)模式（CCM）和非連續(xù)傳導(dǎo)（DCM）。
當(dāng)負(fù)載電流Io減小到臨界輸出電流Io以下時，對于副邊采用傳統(tǒng)二極管續(xù)流工作的正激電源適配器來說，將會出現(xiàn)電感電流斷續(xù)的工作情況，電源適配器進(jìn)入DCM模式。但是當(dāng)副邊采用同步整流工作時，由于續(xù)流MOSFET的雙向?qū)ǖ奶匦裕沟么藭r的電感電流能夠反向，產(chǎn)生環(huán)流，有了環(huán)流就會產(chǎn)生環(huán)流能量，如圖6－12所示。這個能量的大小和輸出濾波電感有關(guān)，輸出濾波電感越小，環(huán)流就會越大，環(huán)流能量越大，損耗也越大。所以由于同步整流器不能從CCM模態(tài)自動切換到DCM模態(tài)，輕載時就會產(chǎn)生很大的環(huán)流損耗。環(huán)流損耗、開關(guān)驅(qū)動損耗和開關(guān)損耗使得電源適配器的輕載時的效率較低。值得注意的是，續(xù)流MOSFET一定要在反向電流產(chǎn)生前截止。如果已經(jīng)產(chǎn)生了反向電流以后才使MOSFET截止，此時反向電流迅速下降，產(chǎn)生很大的di/dt，會在續(xù)流MOSFET源極和漏極兩端產(chǎn)生很高的電壓尖峰，這個電壓尖峰甚至可能高于MOSFET的耐壓，使續(xù)流MOSFET擊穿，在這種控制方式下，重載時由續(xù)流同步整流管續(xù)流，輕載時由肖特基管續(xù)流，電感電流將進(jìn)入DCM模式，這樣減少了導(dǎo)通損耗，提高了輕載時電源適配器的效率。

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| 發(fā)布時間：2019.07.15 來源：電源適配器廠家

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