內(nèi)部穩(wěn)壓電路

       MAX5003在較寬的工作電壓范圍內(nèi)可保持較低的功率損耗,輸入電壓可通過(guò)V+?ESVDo三個(gè)輸入引腳接入?當(dāng)輸入電壓較高時(shí)(36~110V),輸入由V+端連接到內(nèi)部場(chǎng)效應(yīng)管的漏極進(jìn)行預(yù)穩(wěn)壓?此時(shí),輸入與電源適配器地(PGND)之間需接0.1pF的去耦電容,預(yù)穩(wěn)壓器將輸入電壓降至足夠低的電平,以滿(mǎn)足第一級(jí)低壓差穩(wěn)壓器( VDD LDO)的要求, VDD LDo的輸入端由ES引出,ES端應(yīng)再加0.1pF的去耦電容?

       當(dāng)較大輸入電壓低于36V時(shí),將ES引腳與V+引腳相連并接0.1pF的去耦電容? VDD LDO的輸出端為VD0,輸出電壓的典型值為9.75V,用來(lái)為欠壓鎖存電路和 Vce LDo供電,VDo與AGND間加5~10F的去耦電容?當(dāng)較大輸入電壓低于18.75V時(shí),輸入電壓可接在VD端,在這種情況下,V作為電源輸入端與V+?ES連接在一起?如果加在VDo的電壓高于10.75V,則第一級(jí)LDO不工作,電流損耗只有50A?

       因?yàn)?/span>VD電壓對(duì)于外部N溝道 MOSFET過(guò)高,所以在 VoD LDO之后采用了第二級(jí)穩(wěn)壓電路,包括: Vce lDo?電源適配器總線內(nèi)部邏輯電路和模擬電路和外部功率 MOSFET驅(qū)動(dòng)器?Voc

      DO帶有鎖存輸出,當(dāng) Vcc lDo不工作時(shí),可將N溝道 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸出端與地短路?Vcc lDo的輸出電壓為7.4~12V,該電壓除欠壓檢測(cè)電路?Vc鎖存輸出邏輯電路和線性穩(wěn)壓電源適配器外,為MAX5003內(nèi)部的所有電路供電

      MAX5003驅(qū)動(dòng)器輸出用于驅(qū)動(dòng)N溝道 MOSFET,輸出端灌出?吸入相當(dāng)大的電流以滿(mǎn)足 MOSFET切換時(shí)柵極電荷量的需要?該電流等效于柵極開(kāi)關(guān)電荷量與工作頻率的乘積它決定了MAX5003的降壓功耗,Voc端應(yīng)接較大的儲(chǔ)能電容(5~10pF)?驅(qū)動(dòng)器可灌出560mA?吸入1A瞬態(tài)電流,源阻抗典型值為4Q,空載輸出電平為Vc?

      帶隙基準(zhǔn)源提供3V的基準(zhǔn)電壓,引出腳為REF,輸出電流可達(dá)1mA?當(dāng)VRp低于標(biāo)稱(chēng)  值200mV時(shí),鎖存輸出 REFOK將關(guān)斷振蕩器和輸出驅(qū)動(dòng)電路?由于Vw為誤差放大器提供基準(zhǔn),Vs的變化將直接影響電壓的穩(wěn)定輸出,因此應(yīng)盡量減小REF端的負(fù)載

(2)欠壓檢測(cè)和關(guān)斷控制

       當(dāng) INDIV端的電壓低于1.2V時(shí),欠壓檢測(cè)器(滯回電壓為120mV)產(chǎn)生一欠壓鎖存信號(hào),用于關(guān)閉控制器;當(dāng)INDV端的電壓高于1.2V+0.12V(滯回)=1.32V時(shí),控制器重新開(kāi)啟? 

       INDIV端的信號(hào)由連接在電源適配器與AGND端的電阻分壓器(R1?R2)提供,該信號(hào)也可作為快輸入前饋電路的信號(hào)?利用欠壓檢測(cè)功能,可將 INDIV引腳作為關(guān)斷控制端,通過(guò)外接一個(gè)對(duì)地的開(kāi)關(guān)即可實(shí)現(xiàn)關(guān)斷控制?